IRF7380PBF vs IRF7301PBF

Это подробное сравнение IRF7380PBF и IRF7301PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7380PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
3152 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ
Part B

IRF7301PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
7366 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF7380PBF IRF7301PBF
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Discontinued at Digi-Key Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.6A 5.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 73mOhm @ 2.2A, 10V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 23nC @ 10V 20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 660pF @ 25V 660pF @ 15V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ