IRF7832TRPBF vs IRF7811AVTRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRF7832TRPBF и IRF7811AVTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7832TRPBF

+БОМ

3081 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7811AVTRPBF

+БОМ

7722 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SO-8 SO-8
Описание MOSFET N-CH 30V 20A 8SO MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Ta) 10.8A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4mOhm @ 20A, 10V 14mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.32V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V 26 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4310 pF @ 15 V 1801 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7832TRPBF IRF7811AVTRPBF

+БОМ RFQ