IRFB3607PBF vs IRFB3307PBF

Это подробное сравнение IRFB3607PBF и IRFB3307PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3607PBF

Международный исправитель

Lifecycle
Active
Stock
3175 ПКС
Package
TO-220
Series
Специализированные ИК
+БОМ RFQ
Part B

IRFB3307PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
7797 ПКС
Package
TO-220-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFB3607PBF IRFB3307PBF
Series - HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 75 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 130A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 6.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 180 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 5150 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) - 200W (Tc)
Operating Temperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type - Through Hole
Compare RFQ