IRFB3607PBF vs IRFB38N20DPBF

Это подробное сравнение IRFB3607PBF и IRFB38N20DPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3607PBF

Международный исправитель

Lifecycle
Active
Stock
3175 ПКС
Package
TO-220
Series
Специализированные ИК
+БОМ RFQ
Part B

IRFB38N20DPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
6086 ПКС
Package
TO-220
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFB3607PBF IRFB38N20DPBF
Series - HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 43A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 54mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 91 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 2900 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) - 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Operating Temperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type - Through Hole
Compare RFQ