IRFP4229PBF vs IRFP4568PBF Сравнение

Это подробное сравнение IRFP4568PBF и IRFP4229PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRFP4568PBF

+БОМ

7712 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRFP4229PBF

+БОМ

2338 ПКС | Международный исправитель
Пакет TO-247 TO-247-3
Описание MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC IRFP4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V 250 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 171A (Tc) 44A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.9mOhm @ 103A, 10V 46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 227 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 10470 pF @ 50 V 4560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 517W (Tc) 310W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Модель сравнения : IRFP4568PBF IRFP4229PBF

+БОМ RFQ