IRFP4229PBF vs IRFP4668PBF

Это подробное сравнение IRFP4229PBF и IRFP4668PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4229PBF

Международный исправитель

Lifecycle
Active
Stock
2338 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

IRFP4668PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
6039 ПКС
Package
TO-247
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFP4229PBF IRFP4668PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 44A (Tc) 130A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 46mOhm @ 26A, 10V 9.7mOhm @ 81A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 241 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V 10720 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 310W (Tc) 520W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ