IRLML6402TRPBF vs IRLML2402TRPBF

Это подробное сравнение IRLML6402TRPBF и IRLML2402TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML6402TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
3910 ПКС
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET
+БОМ RFQ
Part B

IRLML2402TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
2066 ПКС
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRLML6402TRPBF IRLML2402TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Obsolete
Base Product Number IRLML6402 IRLML2402
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta) 1.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.7A, 4.5V 250mOhm @ 930mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 633 pF @ 10 V 110 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 540mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Compare RFQ