IRS2101STRPBF vs IRS2108STRPBF Сравнение
Это подробное сравнение IRS2101STRPBF и IRS2108STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC-8
SOIC 8N
Описание
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status
Active
Active
Driven Configuration
High-Side or Low-Side
Half-Bridge
Channel Type
Independent
Independent
Number of Drivers
2
2
Gate Type
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
0.8V, 2.5V
0.8V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink)
290mA, 600mA
290mA, 600mA
Input Type
Non-Inverting
Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
600 V
600 V
Rise / Fall Time(Typ)
70ns, 35ns
100ns, 35ns
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
