IRS2127STRPBF vs IRS2112STRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRS2127STRPBF и IRS2112STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRS2127STRPBF

+БОМ

4633 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRS2112STRPBF

+БОМ

6058 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-16
Описание IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration High-Side Half-Bridge
Channel Type Single Independent
Number of Drivers 1 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 12V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 80ns, 40ns 75ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRS2127STRPBF IRS2112STRPBF

+БОМ RFQ