IRS2127STRPBF vs IRS21867STRPBF Сравнение
Это подробное сравнение IRS21867STRPBF и IRS2127STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC 8N
SOIC-8
Описание
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Part Status
Active
Active
Driven Configuration
Half-Bridge
High-Side
Channel Type
Independent
Single
Number of Drivers
2
1
Gate Type
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
10V ~ 20V
12V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
0.8V, 2.5V
0.8V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink)
4A, 4A
290mA, 600mA
Input Type
CMOS, TTL
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
600 V
600 V
Rise / Fall Time(Typ)
22ns, 18ns
80ns, 40ns
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
