IRS2153DSTRPBF vs IRS21853SPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRS2153DSTRPBF и IRS21853SPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRS2153DSTRPBF

+БОМ

7156 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRS21853SPBF

+БОМ

4717 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-N-16
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge High-Side
Channel Type Synchronous Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 15.4V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 0.6V, 3.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 180mA, 260mA 2A, 2A
Input Type RC Input Circuit Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 120ns, 50ns 15ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRS2153DSTRPBF IRS21853SPBF

+БОМ RFQ