IRS2181STRPBF vs IRS21851SPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRS2181STRPBF и IRS21851SPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRS2181STRPBF

+БОМ

5666 ПКС | Международный исправитель
IRS21851SPBF

+БОМ

3972 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IRS2181 - GATE DRIVER IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge High-Side
Channel Type Independent Single
Number of Drivers 2 1
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 1.9A, 2.3A 4A, 4A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 40ns, 20ns 15ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRS2181STRPBF IRS21851SPBF

+БОМ RFQ