MMBFJ177LT1G vs MMBFJ310 Сравнение

Это подробное сравнение MMBFJ177LT1G и MMBFJ310 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MMBFJ177LT1G

+БОМ

4949 ПКС | Онсеми
MMBFJ310

+БОМ

4243 ПКС | Онсеми
Пакет SOT-23-3 TO-236-3
Описание JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3 RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
Supplier - onsemi,Flip Electronics
Part Status Active Obsolete
Transistor Type - N-Channel JFET
Frequency - 450MHz
Gain - 12dB
Voltage - Test - 10 V
Current Rating (Amps) - 60mA
Noise Figure - 3dB
Current - Test - 10 mA
Voltage - Rated - 25 V
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 1.5 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 800 mV @ 10 nA -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS) -
Rds On 300 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Модель сравнения : MMBFJ177LT1G MMBFJ310

+БОМ RFQ