MMBFJ202 vs MMBFJ201_G Сравнение
Это подробное сравнение MMBFJ202 и MMBFJ201_G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
TO-236-3
TO-236-3
Описание
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
INTEGRATED CIRCUIT
Supplier
Rochester Electronics, LLC
onsemi
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N-Channel
N-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS)
40 V
40 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0)
900 µA @ 20 V
200 µA @ 20 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id
800 mV @ 10 nA
300 mV @ 10 nA
Power - Max
350 mW
350 mW
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
