MMBFJ309LT1G vs MMBFJ203

Это подробное сравнение MMBFJ309LT1G и MMBFJ203 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ309LT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
3774 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
+БОМ RFQ
Part B

MMBFJ203

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
2002 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Транзисторы - JFET
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBFJ309LT1G MMBFJ203
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type - N-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) - 40 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) - 4 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id - 2 V @ 10 nA
Power - Max - 350 mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Transistor Type N-Channel JFET -
Current Rating (Amps) 30mA -
Voltage - Rated 25 V -
Compare RFQ