MMBT3906LT1
Онсеми
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 2079 ПКС
- Package
- TO-236-3
- Series
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
Это подробное сравнение MMBT3906LT1 и MMBT3416 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | MMBT3906LT1 | MMBT3416 |
|---|---|---|
| Supplier | Rochester Electronics, LLC | onsemi |
| Part Status | Obsolete | Obsolete |
| Transistor Type | PNP | NPN |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 200 mA | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 40 V | 50 V |
| Power - Max | 225 mW | 350 mW |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |
| Vce Saturation(Max) @ Ib Ic | 400mV @ 5mA, 50mA | - |
| DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce | 100 @ 10mA, 1V | - |
| Frequency - Transition | 250MHz | - |