MMBT3906LT1 vs MMBT3640

Это подробное сравнение MMBT3906LT1 и MMBT3640 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT3906LT1

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
2079 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

MMBT3640

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
22607 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBT3906LT1 MMBT3640
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 200 mA 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 40 V 12 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 400mV @ 5mA, 50mA 600mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 10mA, 1V 30 @ 10mA, 300mV
Power - Max 225 mW 225 mW
Frequency - Transition 250MHz 500MHz
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector Cutoff(Max) - 10nA
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Compare RFQ