MMBT3906LT1 vs MMBT3646

Это подробное сравнение MMBT3906LT1 и MMBT3646 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT3906LT1

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
2079 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

MMBT3646

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
7189 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBT3906LT1 MMBT3646
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi,Flip Electronics,Rochester Electronics, LLC
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 200 mA 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 40 V 15 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 400mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 500nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 10mA, 1V 30 @ 30mA, 400mV
Power - Max 225 mW 625 mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Frequency - Transition 250MHz -
Compare RFQ