MMBT5087LT1G vs MMBT5401-7

Это подробное сравнение MMBT5087LT1G и MMBT5401-7 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5087LT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 28578 ПКС
Package: TO-236-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

MMBT5401-7

Включенные диоды

Lifecycle: Active
Stock: 7677 ПКС
Package: TO-236-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	MMBT5087LT1G	MMBT5401-7
Supplier	onsemi,Rochester Electronics, LLC	Diodes Incorporated
Series	-	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	50 mA	600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	50 V	150 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	300mV @ 1mA, 10mA	500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max)	50nA (ICBO)	50nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	250 @ 100µA, 5V	60 @ 10mA, 5V
Power - Max	300 mW	300 mW
Frequency - Transition	40MHz	300MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ