MMBT5401 vs MMBT5551LT1G

Это подробное сравнение MMBT5401 и MMBT5551LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5401

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
6921 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

MMBT5551LT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
2356 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBT5401 MMBT5551LT1G
Part Status Obsolete Active
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 150 V 160 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) 100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 60 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Power - Max 350 mW 225 mW
Frequency - Transition 300MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ