MMBT5550LT1G vs MMBT5401 Сравнение

Это подробное сравнение MMBT5401 и MMBT5550LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MMBT5401

+БОМ

6921 ПКС | Онсеми
MMBT5550LT1G

+БОМ

6596 ПКС | Онсеми
Пакет SOT-23-3 SOT-23-3
Описание TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3 TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Part Status Obsolete Active
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 150 V 140 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 500mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) 100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 60 @ 10mA, 5V 60 @ 10mA, 5V
Power - Max 350 mW 225 mW
Frequency - Transition 300MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : MMBT5401 MMBT5550LT1G

+БОМ RFQ