MUN2211T1G vs MUN2212T1

Это подробное сравнение MUN2211T1G и MUN2212T1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MUN2211T1G

+БОМ

5798 ПКС | Онсеми
MUN2212T1

+БОМ

6903 ПКС | Онсеми
Пакет SC-59 TO-236-3
Описание TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
TransistorType NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Current-Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 50 V 50 V
Resistor-Base(R1) 10 kOhms 22 kOhms
Resistor-EmitterBase(R2) 10 kOhms 22 kOhms
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 35 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V
VceSaturation(Max)@IbIc 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Current-CollectorCutoff(Max) 500nA 500nA
Power-Max 230 mW 338 mW
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : MUN2211T1G MUN2212T1

+БОМ RFQ