MUN2211T1G vs MUN2237T1

Это подробное сравнение MUN2211T1G и MUN2237T1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MUN2211T1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 5798 ПКС
Package: SC-59
Series: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

+БОМ RFQ

Part B

MUN2237T1

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4980 ПКС
Series: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	MUN2211T1G	MUN2237T1
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	-
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	50 V	-
Resistor - Base(R1)	10 kOhms	-
Resistor - Emitter Base(R2)	10 kOhms	-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	35 @ 5mA, 10V	-
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	250mV @ 300µA, 10mA	-
Current - Collector Cutoff(Max)	500nA	-
Power - Max	230 mW	-
Mounting Type	Surface Mount	-

Compare RFQ