MUN2211T1G vs MUN2216T1

Это подробное сравнение MUN2211T1G и MUN2216T1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MUN2211T1G

+БОМ

5798 ПКС | Онсеми
MUN2216T1

+БОМ

3214 ПКС | Онсеми
Пакет SC-59
Описание TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
Supplier - Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
TransistorType NPN - Pre-Biased -
Current-Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 50 V -
Resistor-Base(R1) 10 kOhms -
Resistor-EmitterBase(R2) 10 kOhms -
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 35 @ 5mA, 10V -
VceSaturation(Max)@IbIc 250mV @ 300µA, 10mA -
Current-CollectorCutoff(Max) 500nA -
Power-Max 230 mW -
MountingType Surface Mount -
Модель сравнения : MUN2211T1G MUN2216T1

+БОМ RFQ