NCP5106BDR2G vs NCP5109BDR2G

Это подробное сравнение NCP5106BDR2G и NCP5109BDR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NCP5106BDR2G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
5795 ПКС
Package
SOIC-8
Series
PMIC - Драйверы ворот
+БОМ RFQ
Part B

NCP5109BDR2G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
7187 ПКС
Package
SOIC-8
Series
PMIC - Драйверы ворот
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification NCP5106BDR2G NCP5109BDR2G
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.3V 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 200 V
Rise / Fall Time(Typ) 85ns, 35ns 85ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ