NCP5106BDR2G vs NCP5162DR2

Это подробное сравнение NCP5106BDR2G и NCP5162DR2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
NCP5106BDR2G

+БОМ

5795 ПКС | Онсеми
NCP5162DR2

+БОМ

2613 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-16
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC REG CTRLR BUCK 16SOIC
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
OutputType - Transistor Driver
Function - Step-Down
OutputConfiguration - Positive
Topology - Buck
NumberofOutputs - 1
OutputPhases - 1
Voltage-Supply(Vcc/Vdd) - 8.8V ~ 18V
DutyCycle(Max) - 100%
SynchronousRectifier - Yes
ClockSync - No
ControlFeatures - Enable, Soft Start
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 70°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 10V ~ 20V -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.3V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 250mA, 500mA -
InputType Non-Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V -
Rise/FallTime(Typ) 85ns, 35ns -
Модель сравнения : NCP5106BDR2G NCP5162DR2

+БОМ RFQ