NCP5106BDR2G vs NCP51145PDR2G Сравнение

Это подробное сравнение NCP5106BDR2G и NCP51145PDR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
NCP5106BDR2G

+БОМ

5795 ПКС | Онсеми
NCP51145PDR2G

+БОМ

2518 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC
Part Status Active Obsolete
Applications - LDO (Linear), DDR
Voltage - Input - 1V ~ 5.5V
Number of Outputs - 1
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.3V -
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 85ns, 35ns -
Модель сравнения : NCP5106BDR2G NCP51145PDR2G

+БОМ RFQ