NCP5106BDR2G vs NCP51145PDR2G

Это подробное сравнение NCP5106BDR2G и NCP51145PDR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

NCP5106BDR2G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
5795 ПКС
Package
SOIC-8
Series
PMIC - Драйверы ворот
+БОМ RFQ
Part B

NCP51145PDR2G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
2518 ПКС
Package
SOIC-8
Series
PMIC - Регуляторы напряжения - Специальное назначение
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification NCP5106BDR2G NCP51145PDR2G
Part Status Active Obsolete
Applications - LDO (Linear), DDR
Voltage - Input - 1V ~ 5.5V
Number of Outputs - 1
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.3V -
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 85ns, 35ns -
Compare RFQ