NCP5181DR2G vs NCP5162DR2

Это подробное сравнение NCP5181DR2G и NCP5162DR2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NCP5181DR2G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4243 ПКС
Package: SOIC-8
Series: PMIC - Драйверы ворот

+БОМ RFQ

Part B

NCP5162DR2

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 2613 ПКС
Package: SOIC-16
Series: PMIC - Регуляторы напряжения - Контроллеры переключения постоянного тока

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NCP5181DR2G	NCP5162DR2
Supplier	-	onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Last Time Buy	Obsolete
Output Type	-	Transistor Driver
Function	-	Step-Down
Output Configuration	-	Positive
Topology	-	Buck
Number of Outputs	-	1
Output Phases	-	1
Voltage - Supply (Vcc/Vdd)	-	8.8V ~ 18V
Duty Cycle(Max)	-	100%
Synchronous Rectifier	-	Yes
Clock Sync	-	No
Control Features	-	Enable, Soft Start
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Driven Configuration	Half-Bridge	-
Channel Type	Independent	-
Number of Drivers	2	-
Gate Type	N-Channel MOSFET	-
Voltage - Supply	10V ~ 20V	-
Logic Voltage - VILVIH	0.8V, 2.3V	-
Current - Peak Output(Source Sink)	1.4A, 2.2A	-
Input Type	Non-Inverting	-
High Side Voltage - Max(Bootstrap)	600 V	-
Rise / Fall Time(Typ)	40ns, 20ns	-

Compare RFQ