NCV5700DR2G vs NCV57200DR2G Сравнение

Это подробное сравнение NCV5700DR2G и NCV57200DR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
NCV5700DR2G

+БОМ

5660 ПКС | Онсеми
NCV57200DR2G

+БОМ

9149 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-16 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
Series Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Active
Driven Configuration High-Side or Low-Side Half-Bridge
Channel Type Synchronous Synchronous
Gate Type IGBT IGBT
Voltage - Supply 20V 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.75V, 4.3V 0.9V, 2.4V
Current - Peak Output(Source Sink) 7.8A, 6.8A 1.9A, 2.3A
Rise / Fall Time(Typ) 9.2ns, 7.9ns 13ns, 8ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Number of Drivers - 1
Input Type - Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 800 V
Модель сравнения : NCV5700DR2G NCV57200DR2G

+БОМ RFQ