NVMFD5877NLT1G vs NVMFD5873NLT1G

Это подробное сравнение NVMFD5877NLT1G и NVMFD5873NLT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NVMFD5877NLT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 6114 ПКС
Package: TDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

NVMFD5873NLT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 7536 ПКС
Package: TDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NVMFD5877NLT1G	NVMFD5873NLT1G
Supplier	onsemi	onsemi,Rochester Electronics, LLC
Series	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Obsolete	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V	60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	6A	10A
Rds On(Max) @ Id Vgs	39mOhm @ 7.5A, 10V	13mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	20nC @ 10V	30.5nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	540pF @ 25V	1560pF @ 25V
Power - Max	3.2W	3.1W
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ