SI2305-TP vs SI2301CDS-T1-E3
Это подробное сравнение SI2301CDS-T1-E3 и SI2305-TP предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOT-23-3
SOT-23
Описание
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
Series
TrenchFET®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20 V
8 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
3.1A (Tc)
4.1A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
2.5V, 4.5V
4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
90mOhm @ 2A, 1.8V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
900mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
10 nC @ 4.5 V
15 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
405 pF @ 10 V
-
PowerDissipation(Max)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
350mW (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
