STGW60H65DFB vs STGW60H65DF

Это подробное сравнение STGW60H65DFB и STGW60H65DF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STGW60H65DFB

STМикроэлектроника

Lifecycle: Active
Stock: 1815 ПКС
Package: TO-247
Series: Транзисторы - ИГБТ - Single

+БОМ RFQ

Part B

STGW60H65DF

STМикроэлектроника

Lifecycle: Active
Stock: 3361 ПКС
Package: TO-247-3
Series: Транзисторы - ИГБТ - Single

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	STGW60H65DFB	STGW60H65DF
Supplier	-	STMicroelectronics
Part Status	Last Time Buy	Obsolete
IGBT Type	Trench Field Stop	Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	650 V	650 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	120 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	240 A	240 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2V @ 15V, 60A	1.9V @ 15V, 60A
Power - Max	375 W	360 W
Switching Energy	1.09mJ (on), 626µJ (off)	1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	306 nC	206 nC
Td(on / off) @ 25°C	51ns/160ns	67ns/165ns
Test Condition	400V, 60A, 5Ohm, 15V	400V, 60A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	60 ns	62 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare RFQ