STGW60H65DFB vs STGW60V60DF

Это подробное сравнение STGW60H65DFB и STGW60V60DF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STGW60H65DFB

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
1815 ПКС
Package
TO-247
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

STGW60V60DF

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
4362 ПКС
Package
TO-247
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification STGW60H65DFB STGW60V60DF
Part Status Last Time Buy Active
IGBT Type Trench Field Stop Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 80 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 240 A 240 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2V @ 15V, 60A 2.3V @ 15V, 60A
Power - Max 375 W 375 W
Switching Energy 1.09mJ (on), 626µJ (off) 750µJ (on), 550µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 306 nC 334 nC
Td(on / off) @ 25°C 51ns/160ns 60ns/208ns
Test Condition 400V, 60A, 5Ohm, 15V 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 60 ns 74 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ