STGW60H65DFB vs STGW60V60DLF

Это подробное сравнение STGW60H65DFB и STGW60V60DLF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

STGW60H65DFB

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
1815 ПКС
Package
TO-247
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

STGW60V60DLF

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
3537 ПКС
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification STGW60H65DFB STGW60V60DLF
Supplier - STMicroelectronics
Part Status Last Time Buy Active
IGBT Type Trench Field Stop -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V -
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A -
Current - Collector Pulsed(Icm) 240 A -
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2V @ 15V, 60A -
Power - Max 375 W -
Switching Energy 1.09mJ (on), 626µJ (off) -
Input Type Standard -
Gate Charge 306 nC -
Td(on / off) @ 25°C 51ns/160ns -
Test Condition 400V, 60A, 5Ohm, 15V -
Reverse Recovery Time (trr) 60 ns -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Mounting Type Through Hole -
Compare RFQ