STGW60V60DF vs STGW60H65DF

Это подробное сравнение STGW60V60DF и STGW60H65DF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

STGW60V60DF

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
4362 ПКС
Package
TO-247
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

STGW60H65DF

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
3361 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification STGW60V60DF STGW60H65DF
Supplier - STMicroelectronics
Part Status Active Obsolete
IGBT Type Trench Field Stop Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 650 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 120 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 240 A 240 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.3V @ 15V, 60A 1.9V @ 15V, 60A
Power - Max 375 W 360 W
Switching Energy 750µJ (on), 550µJ (off) 1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 334 nC 206 nC
Td(on / off) @ 25°C 60ns/208ns 67ns/165ns
Test Condition 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 74 ns 62 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ