UCC27200DDAR vs UCC27528D Сравнение

Это подробное сравнение UCC27200DDAR и UCC27528D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
UCC27200DDAR

+БОМ

2054 ПКС | Техасские инструменты
UCC27528D

+БОМ

9033 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Low-Side
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 8V ~ 17V 4.5V ~ 18V
Current - Peak Output(Source Sink) 3A, 3A 5A, 5A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 7ns 7ns, 6ns
Operating Temperature -40°C ~ 140°C (TJ) -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Logic Voltage - VILVIH 3V, 8V -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 120 V -
Модель сравнения : UCC27200DDAR UCC27528D

+БОМ RFQ