UCC27200DDAR vs UCC27714D Сравнение

Это подробное сравнение UCC27200DDAR и UCC27714D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
UCC27200DDAR

+БОМ

2054 ПКС | Техасские инструменты
UCC27714D

+БОМ

9436 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8 SOIC-14
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 8V ~ 17V 10V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH 3V, 8V 1.2V, 2.7V
Current - Peak Output(Source Sink) 3A, 3A 4A, 4A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 120 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 7ns 15ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 140°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : UCC27200DDAR UCC27714D

+БОМ RFQ