UCC27325DR vs UCC27211DDA Сравнение

Это подробное сравнение UCC27325DR и UCC27211DDA предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
UCC27325DR

+БОМ

6133 ПКС | Техасские инструменты
UCC27211DDA

+БОМ

7607 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel, P-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4.5V ~ 15V 8V ~ 17V
Logic Voltage - VILVIH 1V, 2V 1.3V, 2.8V
Current - Peak Output(Source Sink) 4A, 4A 4A, 4A
Input Type Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 120 V
Rise / Fall Time(Typ) 20ns, 15ns 7.2ns, 5.5ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : UCC27325DR UCC27211DDA

+БОМ RFQ