UCC27424D vs UCC27211DR Сравнение

Это подробное сравнение UCC27211DR и UCC27424D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
UCC27211DR

+БОМ

2096 ПКС | Техасские инструменты
UCC27424D

+БОМ

5668 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Low-Side
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply 8V ~ 17V 4V ~ 15V
Logic Voltage - VILVIH 1.3V, 2.7V 1V, 2V
Current - Peak Output(Source Sink) 4A, 4A 4A, 4A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 120 V -
Rise / Fall Time(Typ) 7.2ns, 5.5ns 20ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 140°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : UCC27211DR UCC27424D

+БОМ RFQ