UCC27425DR vs UCC27200DDAR Сравнение

Это подробное сравнение UCC27200DDAR и UCC27425DR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
UCC27200DDAR

+БОМ

2054 ПКС | Техасские инструменты
UCC27425DR

+БОМ

5594 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Low-Side
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage - Supply 8V ~ 17V 4V ~ 15V
Logic Voltage - VILVIH 3V, 8V 1V, 2V
Current - Peak Output(Source Sink) 3A, 3A 4A, 4A
Input Type Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 120 V -
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 7ns 20ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 140°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : UCC27200DDAR UCC27425DR

+БОМ RFQ