UCC27531DR vs UCC27211DDA Сравнение

Это подробное сравнение UCC27531DR и UCC27211DDA предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
UCC27531DR

+БОМ

6958 ПКС | Техасские инструменты
UCC27211DDA

+БОМ

7607 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side Half-Bridge
Channel Type Single Independent
Number of Drivers 1 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 32V 8V ~ 17V
Logic Voltage - VILVIH 1.2V, 2.2V 1.3V, 2.8V
Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 5A 4A, 4A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 120 V
Rise / Fall Time(Typ) 15ns, 7ns 7.2ns, 5.5ns
Operating Temperature -40°C ~ 140°C (TJ) -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : UCC27531DR UCC27211DDA

+БОМ RFQ