UCC27531DR vs UCC27614DR Сравнение

Это подробное сравнение UCC27614DR и UCC27531DR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
UCC27614DR

+БОМ

5146 ПКС | Техасские инструменты
UCC27531DR

+БОМ

6958 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание 10-A/10-A SINGLE-CHANNEL GATE DR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side Low-Side
Channel Type Single Single
Number of Drivers 1 1
Gate Type N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 4.5V ~ 26V 10V ~ 32V
Current - Peak Output(Source Sink) 10A, 10A 2.5A, 5A
Input Type Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Rise / Fall Time(Typ) 4.5ns, 4ns 15ns, 7ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Logic Voltage - VILVIH - 1.2V, 2.2V
Модель сравнения : UCC27614DR UCC27531DR

+БОМ RFQ