1N5407GHA0G

Изображения являются только для ссылки

1N5407GHA0G

+БОМ

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

  • ПроизводительТайваньская корпорация полупроводников

  • Мфр. Часть #1N5407GHA0G

  • Пакет DO-201AD

  • В наличии8094

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Taiwan Semiconductor Corporation
Package / Case Tape & Box (TB)
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Discontinued at Digi-Key
Diode Type Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 800 V
Current - Average Rectified(Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 3 A
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 800 V
Capacitance @ Vr F 25pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package DO-201AD

Продукты, связанные с 1N5407GHA0G