Изображения являются только для ссылки
630AT
+БОМN200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
-
Производителькомпанией Goford Semiconductor
-
Мфр. Часть #630AT
-
В наличии100
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Goford Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 11.8 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 509 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220 |
