APTGT35A120D1G

Изображения являются только для ссылки

APTGT35A120D1G

+БОМ

IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1

  • Производителькорпорации Microsemi

  • Мфр. Часть #APTGT35A120D1G

  • Пакет D1

  • В наличии4029

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Discontinued at Digi-Key
IGBT Type Trench Field Stop
Configuration Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V
Current - Collector(Ic)(Max) 55 A
Power - Max 205 W
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.1V @ 15V, 35A
Current - Collector Cutoff(Max) 5 mA
Input Capacitance(Cies) @ Vce 2.5 nF @ 25 V
Input Standard
NTC Thermistor No
Mounting Type Chassis Mount

Продукты, связанные с APTGT35A120D1G