BD2320EFJ-LAE2

Изображения являются только для ссылки

BD2320EFJ-LAE2

+БОМ

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

  • Производителькомпанией Rohm Semiconductor

  • Мфр. Часть #BD2320EFJ-LAE2

  • Лист данных BD2320EFJ-LAE2 DataSheet

  • В наличии9013

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Part Status Not For New Designs
Base Product Number BD2320
DigiKey Programmable Not Verified
Driven Configuration High-Side, Low-Side
Channel Type Independent
Number of Drivers 2
Gate Type MOSFET (N-Channel)
Voltage - Supply 7.5V ~ 14.5V
Logic Voltage - VIL, VIH 1.7V, 1.5V
Current - Peak Output (Source, Sink) 3.5A, 4.5A
Input Type Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ) 8ns, 6ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount
Package 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package 8-HTSOP-J
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 100 V

Продукты, связанные с BD2320EFJ-LAE2