Изображения являются только для ссылки
BSG0813NDIATMA1
+БОМMOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
-
Производителькомпанией Infineon Technologies
-
Мфр. Часть #BSG0813NDIATMA1
-
Лист данных BSG0813NDIATMA1 DataSheet
-
Пакет TDFN-8
-
В наличии5827
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Bulk |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 19A, 33A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1100pF @ 12V |
| Power - Max | 2.5W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
