Изображения являются только для ссылки
FDMD85100
+БОМMOSFET 2N-CH 100V
-
ПроизводительОнсеми
-
Мфр. Часть #FDMD85100
-
Лист данных FDMD85100 DataSheet
-
Пакет WDFN-8
-
В наличии4033
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | onsemi |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | PowerTrench® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 10.4A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 9.9mOhm @ 10.4A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2230pF @ 50V |
| Power - Max | 2.2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
