Изображения являются только для ссылки
FQD12N20TM
+БОМMOSFET N-CH 200V 9A DPAK
-
ПроизводительОнсеми
-
Мфр. Часть #FQD12N20TM
-
В наличии21839
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Series | QFET® |
| Part Status | Obsolete |
| Base Product Number | FQD12N20 |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
