FQPF9N90CT

Изображения являются только для ссылки

FQPF9N90CT

+БОМ

MOSFET N-CH 900V 8A TO220F

  • ПроизводительОнсеми

  • Мфр. Часть #FQPF9N90CT

  • В наличии6623

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Series QFET®
Part Status Active
Base Product Number FQPF9
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220F-3
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Packaging Tube

Продукты, связанные с FQPF9N90CT